5月22日消息，据外电报道，在人工智能芯片市场蓬勃发展的背景下，全球最大的存储芯片制造商三星电子已经落后于同行，因此更换了半导体部门的负责人，以克服芯片危机。
这家韩国制造商周二表示，已任命杨铉俊 (Young Hyun Jun) 为公司未来业务规划部门负责人，任命立即生效。
分析师表示，此举可能旨在赶上人工智能使用的高端芯片市场，例如高带宽内存 (HBM) 芯片，三星在这一领域落后于 SK 海力士(000660.KS)等竞争对手。
三星在一份声明中表示：这是通过重塑内部和外部氛围来增强未来竞争力的先发制人举措。
根据数据提供商 TrendForce 的数据，去年第四季度，三星在科技设备中使用的 DRAM 芯片市场份额达到 45.5%。然而，它在小众但日益重要的 HBM 芯片领域落后，SK 海力士控制着 90% 以上的主流 HBM3 市场。
HBM3 是第四代 HBM 标准，目前最常用于 AI 芯片组，例如行业领导者 Nvidia (NVDA.O)制造的芯片组。
Jun，63 岁，在致力于 DRAM 和闪存芯片的开发后，于 2014 年至 2017 年领导三星的存储芯片业务。他还是电池部门三星SDI （006400.KS）的首席执行官，2017 年至 2022 年，监管与汽车制造商 Stellantis (STLAM.MI)的美国电动汽车电池合资企业。
三星表示：我们希望他能够凭借自己积累的管理知识克服芯片危机。
自 2022 年以来一直领导半导体部门的 Kye Hyun Kyung 将接替 Jun 的职位，担任其未来业务规划部门负责人。
分析师表示，鉴于三星大多数人事变动通常发生在年初，因此在年中更换如此高级的职位并不常见。
芯片部门表现落后
分析师表示，三星对人工智能芯片组所用内存芯片快速增长的需求反应迟缓，专用产品的价格明显较高，尽管按出货量计算，其在 DRAM 市场的份额较小。
BNK Investment & Securities分析师Lee Min-hee表示：芯片部门在各方面的竞争力一直落后，在高密度DRAM、NAND产品方面不再领先于竞争对手。
「它也错过了很多全球人工智能的上升趋势。」李补充道。
在三星 3 月份的年会上，前芯片部门负责人 Kyung 坚称，该制造商未来可以避免在 HBM 市场犯下类似的错误。
在回答股东关于三星近期在该领域遭遇的挫折的问题时，Kyung 表示：我们已经做好了更好的准备，以防止将来再次发生这种情况。